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PL60N02D 20VN通道增强模式MOSFET场效应管

发布人:百盛电子01 时间:2025-04-21 来源:工程师 发布文章

一般说明
PL60N02D采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。

一般特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

应用
蓄电池保护
负荷开关

不间断电源


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关键词: PL60N02D
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