专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > AP4528GM-VB一种N+P—Channel沟道SOP8封装MOS管

AP4528GM-VB一种N+P—Channel沟道SOP8封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-12-17 来源:工程师 发布文章

image.png

产品型号: AP4528GM-VB

品牌: VBsemi

参数:

- 沟道类型: N+P-Channel

- 最大电压: ±60V

- 最大电流: 6.5A (正向), -5A (反向)

- 开关电阻: RDS(ON) = 28mΩ @ VGS=10V, 51mΩ @ VGS=20V

- 阈值电压: Vth = ±1.9V

封装: SOP8

SOP8.png

应用简介:

AP4528GM-VB 是一款N+P-Channel沟道的功率MOSFET,具有高压、高电流和低开关电阻的特点,适用于各种功率控制和开关电路。


举例说明:

1. 工业自动化: 该产品可用于工业电机驱动器、电源管理系统和工业自动化控制器,提供可靠的功率开关和电流控制。

2. 汽车电子: 在汽车电子领域,这种MOSFET可用于电动汽车充电桩、车载充电器和车辆电动系统,支持高电压和高电流的需求。

3. 消费电子: 在消费电子产品中,如电源适配器、LED照明和无线充电器中,该产品能够提供有效的功率管理和能源转换。

4. 工业电源: 适用于高效率的开关电源、UPS(不间断电源系统)和太阳能逆变器等工业电源设备,以实现高效的能源转换和稳定的功率输出。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: AP4528GM-VB mosfet

相关推荐

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

器件资料\\IRF840

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

SiC MOSFET的并联设计要点

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

vb开发人员操作规程

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

开关电源手册

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

AT89C52单片机与VB串行通信的实现

快速、150V 保护、高压侧驱动器

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区