"); //-->

**AP2301AGN-HF-VB**
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大电流:-4A
- RDS(ON):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-0.81V

- **应用简介:**
适用于各种电源管理和开关电源应用,特别是在需要 P—Channel 沟道的场合。由于其性能参数,特别适合在需要低导通电阻和高效率的应用中使用。
- **举例说明:**
- **领域:** 电源管理领域
- **模块:** DC-DC 转换器、电池管理系统、开关电源
该器件在需要负载开关和电源管理的场景中具有优越的性能,尤其在电流较小、功耗要求高、空间有限的情况下是理想的选择。
专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们
相关推荐
多个MOSFET管直接并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
器件资料\\IRF840
快速、150V 保护、高压侧驱动器
开关电源手册
IR推出新型DirectFET MOSFET
李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
FUJI(富士电机)的MOSFET, DIODE, PWM IC,PFC IC专业A级代理
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
mosfet driver 的设计有明白的吗?
AT89C52单片机与VB串行通信的实现
基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计
Re: MOSFET,IGBT是作什么用的?
利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护
关于MOSFET的几个问题
SiC MOSFET的并联设计要点
TX-KDl02 MOSFET或IGBT的原理框图
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%
MOSFET共振式直流-直流变换器电路
电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新
带有反向电流保护功能的有源整流控制器
碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用
IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计
IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析
基于SMD封装的高压CoolMOS
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
vb开发人员操作规程