专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > AM3414E3R-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

AM3414E3R-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-10-29 来源:工程师 发布文章

image.png

**VBsemi AM3414E3R-VB 详细参数说明和应用简介:**


**产品型号:** AM3414E3R-VB


**品牌:** VBsemi


**参数:**

- **封装类型:** SOT23

- **沟道类型:** N-Channel

- **工作电压:** 30V

- **持续漏电流:** 6.5A

- **导通电阻:** RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V

- **门极阈值电压:** Vth = 1.2~2.2V


**封装:**

- SOT23

VB1330.png

**应用简介:**

VBsemi的AM3414E3R-VB是一款N-Channel沟道场效应晶体管,设计用于具有30V工作电压和6.5A持续漏电流要求的应用。其低导通电阻(RDS(ON) = 30mΩ)在10V和20V的门极电压下表现出色。门极阈值电压(Vth)在1.2~2.2V范围内,提供了在不同应用场景中的设计灵活性。


**主要特点:**

1. **低导通电阻:** RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V。

2. **宽工作电压范围:** 30V的工作电压适用于多种电源电压。

3. **适用于多种应用场景:** 具有灵活的门极阈值电压,可在不同应用场景中实现最佳性能。


**应用领域:**

VBsemi AM3414E3R-VB适用于多种领域和模块,包括但不限于:

1. **电源管理模块:** 由于其低导通电阻和适应性的门极阈值电压,可用于电源开关和调节电路。

2. **电机驱动模块:** 适用于需要高效能量转换和电机控制的应用。

3. **LED照明:** 可用于LED驱动电路,提高能效。


VBsemi AM3414E3R-VB以其卓越的性能和适用性,为各种电子设备和模块提供了可靠的功率开关解决方案。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: AM3414E3R-VB mosfet

相关推荐

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

vb开发人员操作规程

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

器件资料\\IRF840

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

快速、150V 保护、高压侧驱动器

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

SiC MOSFET的并联设计要点

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

AT89C52单片机与VB串行通信的实现

开关电源手册

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区