专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > AM2358NE-T1-PF-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

AM2358NE-T1-PF-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-10-21 来源:工程师 发布文章

image.png

**产品型号:** AM2358NE-T1-PF-VB


**品牌:** VBsemi


**参数:**

- 封装:SOT23

- 沟道类型:N—Channel

- 最大耐压:60V

- 最大电流:4A

- 开通电阻:RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压:Vth=1~3V


**封装:** SOT23

VB1695.png

**产品应用简介:**

AM2358NE-T1-PF-VB是一款SOT23封装的N-Channel沟道MOSFET,具有60V最大耐压、4A最大电流和低的开通电阻。该器件适用于各种应用场景,特别是在需要控制电流、降低功耗的电子系统中表现优越。


**应用领域举例:**

1. **电源模块:** 由于其较低的开通电阻和高电流特性,适用于电源模块,有助于提高整体功率效率。

2. **电机驱动:** 可用于电机驱动模块,帮助实现精确的电机控制和高效的能量转换。

3. **电源开关:** 用作电源开关,有助于提高开关电源的性能和效率。


总体而言,AM2358NE-T1-PF-VB适用于需要高性能N-Channel MOSFET的电子系统和模块,包括但不限于电源、电机控制和开关电源等领域。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: AM2358NE-T1-PF-VB mosfet

相关推荐

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

快速、150V 保护、高压侧驱动器

开关电源手册

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

器件资料\\IRF840

SiC MOSFET的并联设计要点

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

基于转矩星矢量模型的两相混合式步进电机控制系统

vb开发人员操作规程

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区