专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > AM2341P-T1-PF-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

AM2341P-T1-PF-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-10-17 来源:工程师 发布文章

image.png

产品型号: AM2341P-T1-PF-VB

品牌: VBsemi

参数: 

- 封装类型: SOT23

- 沟道类型: P—Channel

- 最大漏极电压: -30V

- 最大漏极电流: -5.6A

- 开启电阻: RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压: Vth = -1V

VB2355.png

应用简介:

AM2341P-T1-PF-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管。其特点包括在VGS=10V和VGS=20V时的低漏电阻,适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的电路。


主要应用领域:

该产品适用于各种电子设备和模块,特别是在需要P—Channel沟道场效应晶体管的电路中。常见应用领域包括功率放大器、开关电源、电源管理等。


请注意: 在使用该产品时,请仔细阅读其数据手册以确保正确的使用和应用。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: AM2341P-T1-PF-VB mosfet

相关推荐

SiC MOSFET的并联设计要点

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

快速、150V 保护、高压侧驱动器

器件资料\\IRF840

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

基于转矩星矢量模型的两相混合式步进电机控制系统

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

vb开发人员操作规程

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

开关电源手册

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区