专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > AM2328N-T1-PF-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

AM2328N-T1-PF-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-10-15 来源:工程师 发布文章

image.png

AM2328N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET,采用SOT23封装。主要参数包括工作电压20V、电流承受能力6A、导通电阻RDS(ON)=24mΩ(在VGS=4.5V,VGS=8V时)、阈值电压Vth范围为0.45~1V。

VB1240.png

这款MOSFET适用于高性能开关和放大的电路设计。在电源管理、电池管理、DC-DC转换器等领域中,AM2328N-T1-PF-VB可以用于提高系统的效率和性能,降低功耗。其SOT23封装适用于小型电子设备和电路板,具有体积小、性能卓越的特点。


在电源模块、电池管理模块和功率控制模块中,AM2328N-T1-PF-VB可用于实现高效能的电源开关和信号放大,应用广泛。其可靠性和高性能使其成为电子设备中常见的元器件之一。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: AM2328N-T1-PF-VB mosfet

相关推荐

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

基于转矩星矢量模型的两相混合式步进电机控制系统

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

vb开发人员操作规程

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

器件资料\\IRF840

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

快速、150V 保护、高压侧驱动器

开关电源手册

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

SiC MOSFET的并联设计要点

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区