"); //-->

**产品型号:** 4959M-VB
**品牌:** VBsemi
**丝印:** VBA4338
**参数:**
- 2个P—Channel沟道
- 工作电压:-30V
- 最大电流:-7A
- 导通电阻:35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:-1.5V
**封装:** SOP8
**详细参数说明:**
4959M-VB是一款具有2个P—Channel沟道的场效应晶体管(MOSFET)。其工作电压为-30V,最大电流可达-7A,具有低导通电阻,RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,阈值电压为-1.5V。采用SOP8封装,适用于表面贴装焊接。
**应用简介:**
该产品适用于各种电路和模块中,特别适合于需要控制负载电流的场合。例如,用于功率管理模块、电源开关、电机驱动器、电动车控制器等领域。
**举例说明:**
1. **功率管理模块:** 在电源管理模块中,4959M-VB可用作负载开关,控制电路的通断,实现对电源的精确管理和控制。
2. **电机驱动器:** 在电机驱动器中,4959M-VB可用作电机的功率控制开关,实现对电机的启停和速度调节,提高系统的效率和稳定性。
3. **电动车控制器:** 在电动车控制器中,4959M-VB可用于电池管理和电机控制,实现对电动车的动力输出和行驶控制,提高电动车的性能和安全性。
通过以上举例,可以看出4959M-VB适用于各种需要控制负载电流的场合,广泛应用于电源管理、电机控制、电动车等领域,具有很高的实用价值和应用潜力。
**产品型号:** 4959M-VB
**品牌:** VBsemi
**丝印:** VBA4338
**参数:**
- 2个P—Channel沟道
- 工作电压:-30V
- 最大电流:-7A
- 导通电阻:35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:-1.5V
**封装:** SOP8

**详细参数说明:**
4959M-VB是一款具有2个P—Channel沟道的场效应晶体管(MOSFET)。其工作电压为-30V,最大电流可达-7A,具有低导通电阻,RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,阈值电压为-1.5V。采用SOP8封装,适用于表面贴装焊接。
**应用简介:**
该产品适用于各种电路和模块中,特别适合于需要控制负载电流的场合。例如,用于功率管理模块、电源开关、电机驱动器、电动车控制器等领域。
**举例说明:**
1. **功率管理模块:** 在电源管理模块中,4959M-VB可用作负载开关,控制电路的通断,实现对电源的精确管理和控制。
2. **电机驱动器:** 在电机驱动器中,4959M-VB可用作电机的功率控制开关,实现对电机的启停和速度调节,提高系统的效率和稳定性。
3. **电动车控制器:** 在电动车控制器中,4959M-VB可用于电池管理和电机控制,实现对电动车的动力输出和行驶控制,提高电动车的性能和安全性。
通过以上举例,可以看出4959M-VB适用于各种需要控制负载电流的场合,广泛应用于电源管理、电机控制、电动车等领域,具有很高的实用价值和应用潜力。
专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们
相关推荐
开关电源手册
李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计
碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%
基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计
MOSFET共振式直流-直流变换器电路
SiC MOSFET的并联设计要点
沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
基于SMD封装的高压CoolMOS
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
关于MOSFET的几个问题
电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新
器件资料\\IRF840
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析
利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护
多个MOSFET管直接并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
Re: MOSFET,IGBT是作什么用的?
vb开发人员操作规程
600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用
快速、150V 保护、高压侧驱动器
IR推出新型DirectFET MOSFET
AT89C52单片机与VB串行通信的实现
带有反向电流保护功能的有源整流控制器
FUJI(富士电机)的MOSFET, DIODE, PWM IC,PFC IC专业A级代理
IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
mosfet driver 的设计有明白的吗?
TX-KDl02 MOSFET或IGBT的原理框图