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4528GM-VB一种N+P—Channel沟道SOP8封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-07-29 来源:工程师 发布文章

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**4528GM-VB**


**丝印:** VBA5638  

**品牌:** VBsemi  

**封装:** SOP8  


**参数:**  

- N+P—Channel沟道

- 最大耐压:±60V

- 最大漏极电流:6.5A (正向), -5A (反向)

- 静态漏极-源极电阻:28mΩ @ VGS=10V, 51mΩ @ VGS=20V

- 阈值电压:±1.9V


**产品介绍:**  

4528GM-VB是一款N+P—Channel沟道场效应晶体管,具有双向导电性能,适用于各种电源管理和功率开关应用。其高耐压、低漏极-源极电阻和可靠的性能使其在多种领域得到广泛应用。

VBA5638.png

**应用领域:**  

1. **电源开关模块:** 该器件适用于电源开关模块中的高压、高电流场景,可用于电源逆变器、UPS电源等领域。

2. **电机驱动模块:** 在电机驱动模块中,4528GM-VB可用作电机的驱动器和控制器,适用于家用电器、工业自动化等领域。

3. **汽车电子模块:** 作为汽车电子模块中的关键组件,可用于电动汽车的电池管理系统、电机控制系统等。


**举例说明:**  

- 在电动汽车领域,4528GM-VB可用于电动汽车的电池管理系统中,实现对电池充放电的高效控制。

- 在家用电器领域,该器件可应用于洗衣机、冰箱等产品中的电源开关模块,实现高效能的功率开关控制。

- 在工业自动化领域,4528GM-VB可用于PLC控制器模块中,实现对工业设备的高效驱动和控制。


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关键词: 4528GM-VB mosfet

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