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4523GM-VB一种N+P—Channel沟道SOP8封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-07-29 来源:工程师 发布文章

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产品型号: 4523GM-VB

丝印: VBA5638

品牌: VBsemi

封装: SOP8


详细参数说明:

- 通道数量: N+P-Channel

- 额定电压: ±60V

- 最大连续漏极电流: 6.5A (N-Channel), -5A (P-Channel)

- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)): 28mΩ @ VGS=10V (N-Channel), 51mΩ @ VGS=20V (P-Channel)

- 阈值电压(Vth): ±1.9V

VBA5638.png

应用简介:

4523GM-VB是一款N+P-Channel场效应管,适用于中压高功率应用。具有较高的额定电压和最大连续漏极电流,适用于要求高可靠性和高效率的功率控制和开关电路。


举例说明:

1. 电源逆变器模块: 4523GM-VB可用于电源逆变器模块中,实现对直流电源的高效转换和逆变,为交流电源提供稳定的电压和电流输出。

2. 电动车充电器: 在电动车充电器中,该器件可用作充电器的功率开关,实现对电动车电池的快速充电和管理。

3. 工业电机驱动模块: 在工业电机驱动模块中,4523GM-VB可用作电机驱动器的输出级开关管,实现对工业电机的高效控制和驱动。


通过以上举例,可以看出4523GM-VB适用于各种中压高功率的功率控制和开关电路,在电源逆变器、电动车充电器和工业电机驱动等领域有着广泛的应用,为各种模块提供稳定可靠的功率输出。


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关键词: 4523GM-VB mosfet

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