"); //-->
**3LP01C-TB-H-VB 一般信息:**
- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-5.6A
- 开态电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth = -1V
- **封装:** SOT23

**一般性应用简介:**
3LP01C-TB-H-VB 是一款P—Channel MOSFET,采用 SOT23 封装。具有低开态电阻、适用于-30V额定电压和-5.6A额定电流的特性。
**可能的应用领域:**
1. **电源模块:** 适用于功率开关电源模块,由于其低电阻和高电压/电流额定值。
2. **电源管理:** 在电池管理系统和电源逆变器中,可实现高效的电源管理。
3. **汽车电子:** 适用于汽车电子系统,如发动机控制单元(ECU)等。
4. **LED 驱动:** 在 LED 照明系统中,可用于调光和开关控制。
请确保在使用前详细阅读产品手册以确保正确的应用和性能。
专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们
相关推荐
基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计
李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计
FUJI(富士电机)的MOSFET, DIODE, PWM IC,PFC IC专业A级代理
器件资料\\IRF840
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
Re: MOSFET,IGBT是作什么用的?
电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新
mosfet driver 的设计有明白的吗?
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
基于SMD封装的高压CoolMOS
带有反向电流保护功能的有源整流控制器
TX-KDl02 MOSFET或IGBT的原理框图
IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析
罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%
碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
多个MOSFET管直接并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
MOSFET共振式直流-直流变换器电路
SiC MOSFET的并联设计要点
利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护
AT89C52单片机与VB串行通信的实现
vb开发人员操作规程
沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用
bootrom启动显示0x2d8ab4(tboot):...
关于MOSFET的几个问题
开关电源手册
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计
快速、150V 保护、高压侧驱动器