美国当地时间6月26日，存储芯片大厂美光科技在公布2024财年第三财季财报的同时，也披露了美光正在其位于日本广岛的Fab15工厂试产基于极紫外（EUV）光刻技术的 1γ （1-gamma）DRAM ，作为试生产计划的一部分，首批 1γ DRAM也将在那里制造。

虽然三星和SK海力士早已经将先进的EUV光刻机引入到了它们的先进制程节点的DRAM制造，但是美光却一直不急于使用EUV光刻技术来制造DRAM，而是更多的通过使用标准的 DUV 多图案化，在其 1α 和 1ß 节点上开发了具有成本和性能竞争力的 DRAM。不过，今年美光已经开始在其更先进的 1γ 制程DRAM的试产上引入了EUV光刻技术，并且明年将会进入大批量生产。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra在第三财季的与投资者和金融分析师的电话会议上表示，虽然美光在EUV使用方面将略微落后于三星和SK海力士，但其EUV结果看起来相当有希望：“使用EUV光刻的 1γ DRAM试生产进展顺利，我们有望在2025年实现量产。”

美光对其1γ DRAM工艺技术寄予厚望，并希望EUV技术的使用将使其能够构建业界最小的DRAM单元，这将是其即将推出的存储芯片的主要竞争优势，因为它将使公司能够构建业内最便宜、更节能的DRAM芯片。EUV技术将成为此类存储单元的关键推动因素。至于将会对美光DRAM的性能和市场表现有多大的助力，还有待观察。

目前，美光基于 EUV光刻的 1γ DRAM 制造工艺正在该公司位于日本广岛的工厂开发，作为试生产计划的一部分，第一批 1γ 存储设备正在那里制造。

在此之前，美光已经试验了ASML的Twinscan NXE EUV光刻机一段时间了。该公司一直在测试这些工具，方法是将其 1α 和 1ß 节点的一些 DUV光刻流程替换为 EUV光刻，并逐步调整它们以获得适当的产量。到目前为止，该公司已经有足够的经验开始准备使用EUV光刻机进行大规模生产。

Mehrotra曾在3月份表示：“我们继续通过EUV提高我们的生产能力，并在EUV和非EUV之间的1α和1ß节点上实现了同等的产量和质量。“我们已经开始使用EUV进行1γ DRAM的试生产，并有望在2025年实现批量生产。”

值得一提的是，美光去年就宣布计划在斥资6,000至8,000亿日日本广岛现有的Fab15工厂附近兴建DRAM新厂，预计2026年初动工、最快2027年底前完成厂房建设、机台设备安装并投入营运。新厂初期规划为DRAM晶圆厂，未包含后段封装及测试，产能将着重于HBM产品。该工厂还将入EUV光刻设备，生产先进1-Gamma制程的DRAM，后续也将导入1-Delta制程。

编辑：芯智讯-浪客剑

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