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2SJ166-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-06-27 来源:工程师 发布文章

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**产品型号:** 2SJ166-VB


**丝印:** VB264K


**品牌:** VBsemi


**参数:**

- 封装类型:SOT23

- 沟道类型:P—Channel

- 最大承受电压:-60V

- 最大电流:-0.5A

- 开态电阻(RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压(Vth):-1.87V


**封装:**

- 封装类型:SOT23

VB264K.png

**应用简介:**

2SJ166-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管,适用于SOT23封装。具有最大承受电压为-60V,最大电流为-0.5A,适用于各种电子应用。


**适用领域和模块示例:**

1. **电源管理模块:** 由于其负载能力和低开态电阻,2SJ166-VB可用于电源管理模块,特别是需要负载P—Channel沟道器件的应用。


2. **放大器电路:** 在放大器电路中,特别是在需要P—Channel场效应晶体管的设计中,该器件可以用于实现信号放大。


3. **电源逆变器:** 由于其负载能力和电压特性,2SJ166-VB适用于一些电源逆变器电路,用于转换电源信号。


4. **电源开关模块:** 作为P—Channel沟道器件,它可以在电源开关模块中发挥作用,实现开关功能。


总体而言,2SJ166-VB可广泛应用于电源管理、放大器、电源逆变器和电源开关等领域的电子模块设计。


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关键词: 2SJ166-VB mosfet

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