当地时间5月21日美股盘前，美国存储芯片大厂美光（Micron）财务长Matt Murphy在摩根大通全球科技、媒体和传播大会上表示，2024年资本支出预测将达约80亿美元，高于此前预计的75亿美元，主要是为了投资高带宽內存（HBM）产量。
美光首席运营官Manish Bhatia表示，HBM业务规模将在2025会计年度增长至数十亿美元。同时，美光2025年HBM內存供应谈判基本上已经都完成。其已与下游客户基本敲定了2025年HBM订单的规模和价格。

美光预测，在未来数年间其HBM的位元产能的复合年成长率将达到50%。而为了应对HBM的强劲市场需求，美光基本上调升了2024财年的资本支出金额，预计从75~80亿美元（约台币2,395亿元~2,550亿元），提升到80亿美元。

至于，在HBM技术发展上，美光于本季先前时候就开始提供12层堆叠的HBM3E內存样品。这12层堆叠的HBM产品，为容量提升50%的新品，预计将成为美光2025年业绩的重要来源。而在非HBM领域，美光认为AI PC的推出，将对标准內存的需求成长达40~80%，而LPDDR內存未来将在数据中心市场占有更大比例。

整体来看，美光预测DRAM內存产业长期成长率将维持在15%上下，NAND Flash产业的长期成长率则略高于20%。

值得注意的是，美光高层并未对3-5月当季或6-8月财测多做评论。随着本季末将至，市场相信，这代表3-5月季度业绩表现符合预期，但并未显著上修。

美光重申，6-8月毛利率将介于30~33%左右。高层预测，HBM业务近期的年复合增长率有望多达50%，从8层堆叠升级到12层堆叠的HBM，有望推升2025年度营收。

编辑：芯智讯-林子

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