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SI2302CDS-T1-GE3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析

发布人：VBsemi 时间：2023-11-23 来源：工程师

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SI2302CDS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。

应用简介：SI2302CDS-T1-GE3适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。

其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。

优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。

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关键词： SI2302CDS-T1-GE3 MOS管 MOS mosfet VBsemi

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