11月14日消息，存储芯片大厂美光近期公布了最新路线图，包括DDR5、GDDR7和HBM4E內存技术，其中GDDR7将会在明年底推出，赶上下一代英伟达（NVIDIA）GPU芯片。

美光公布的最新路线图进一步展示了到2028年的规划，比今年7月发布的路线图延长了两年，内容也进行了调整，增加了几款新产品。

目前美光的第二代HBM3传输速率为1.2TB/s，8层堆叠。美光预计将在2026年推出12和16层堆叠的HBM4，带宽超过1.5TB/ s；到2027~2028年，还将发布12层和16层堆叠的HBM4E，带宽可达2TB/s以上。

至于GDDR7上市时间有些改变，从2024上半年延后到2024年年底，与目前最快的GDDR6X模块（最高容量为16Gb，带宽为24Gb/s）相比，容量和带宽都提高。首批GDDR7容量提高至24Gb，带宽为32Gb/s；到2026年下半年，会推出更快的GDDR7，带宽也将提高到36Gb/s。英伟达曾表示Blackwell将于2025年面世，而英伟达下一代GeForce RTX 50系列有望使用美光GDDR7內存。

DDR5內存部分，美光将为消费者和数据中心设定不同的产品线，计划基础是新的32Gb单体设计。这种高容量模块将应用于128GB DDR5-8000內存条，一直延伸至2026年供桌机用户使用。

同时美光还开发用于服务器的MCRDIMM产品，速度为8000 MT/s。这种设计的巅峰将是2025年底推出的256GB內存条，运行速度为12800Mb/s。

至于面向移动市场的LPDDR产品，美光将在2024年底采用Dell CAMM标准，焦点似乎在提高容量而非带宽，公司也表示将在2026年前使用8533Mb/s速率的內存条。第一代设计每条将提供16GB至128GB容量，到2026下半年，每个模块容量将增至192GB或更高。

编辑：芯智讯-林子

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