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IRLL110TRPBF-VB_MOSFET产品应用与参数解析

发布人:VBsemi 时间:2023-11-15 来源:工程师 发布文章

IRLL110TRPBF (VBJ1101M)

参数描述:

N沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V);SOT223

VBJ1101M.png

型号参数介绍:

IRLL110TRPBF (VBJ1101M)参数说明:N沟道,100V,5A,导通电阻100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压2~4V,封装:SOT223。

应用简介:IRLL110TRPBF适用于低功率应用,如信号开关和电流控制。

其低导通电阻和低阈值电压有助于降低功率损耗。

适用领域与模块:适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块。


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关键词: IRLL110TRPBF-VB MOS管 MOS mosfet VBsemi

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