IPD640N06LG（ VBE1638）

参数描述：

N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)；TO252

型号参数介绍：

IPD640N06LG (VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。

应用简介：IPD640N06LG适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。

其高电流承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。

适用领域与模块：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。

高电流承载能力满足大电流需求。

专栏文章内容及配图由作者撰写发布，仅供工程师学习之用，如有侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 联系我们