专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > AO7400-VB_SC70-3封装MOSFET产品应用与参数解析

AO7400-VB_SC70-3封装MOSFET产品应用与参数解析

发布人:VBsemi 时间:2023-10-25 来源:工程师 发布文章

AO7400 (VBK1270)

参数描述:

N沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V);SC70-3

VBK1270.png

型号参数介绍:

AO7400 (VBK1270)参数说明:极性:N沟道;额定电压:20V;最大电流:4A;导通电阻:45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V;门源电压范围:12Vgs (±V)阈值电压:1~3V;封装:SC70-3

应用简介:AO7400 (VBK1270) 是一款N沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。

其中等额定电流和低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。

常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。

优势:中等电流能力:适用于多种中等功率应用。

低导通电阻:降低功耗,提高效率。

可调阈值电压:可以根据需求调整阈值电压,实现不同的开关控制。

适用模块:AO7400 (VBK1270) 适用于中等功率电流控制模块,如电源开关模块、电机驱动模块等。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: MOS管 MOS mosfet VBsemi AO7400

相关推荐

SiC MOSFET的并联设计要点

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

器件资料\\IRF840

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

快速、150V 保护、高压侧驱动器

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

DCorAC逆变器的制作

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

开关电源手册

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

IR系列MOS驱动ic中文应用手册

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区