专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > AO6801-VB_MOSFET产品应用与参数解析

AO6801-VB_MOSFET产品应用与参数解析

发布人:VBsemi 时间:2023-10-24 来源:工程师 发布文章

AO6801( VB4290)

参数描述:

2个P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-1.2~-2.2Vth(V);SOT23-6

VB4290.png


型号参数介绍:

AO6801 (VB4290)参数说明:2个P沟道,-20V,-4A,导通电阻75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压-1.2~-2.2V,封装:SOT23-6。

应用简介:AO6801适用于功率开关和逆变器等应用的双P沟道MOSFET。

其双沟道设计和低导通电阻使其在多路信号控制中表现出色。

适用领域与模块:适用于功率开关、逆变器和多路信号控制等领域模块。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: MOS管 MOS mosfet VBsemi AP2301N

相关推荐

快速、150V 保护、高压侧驱动器

开关电源手册

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

IR系列MOS驱动ic中文应用手册

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

器件资料\\IRF840

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

DCorAC逆变器的制作

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

SiC MOSFET的并联设计要点

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区