专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 2SK3484-Z-E1-AZ-VB_MOSFET产品应用与参数解析

2SK3484-Z-E1-AZ-VB_MOSFET产品应用与参数解析

发布人:VBsemi 时间:2023-10-20 来源:工程师 发布文章

2SK3484-Z-E1-AZ (VBE1101M)

参数描述:

N沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V);TO252

VBE1101M.png

型号参数介绍:

2SK3484-Z-E1-AZ 参数:N沟道, 100V, 18A, RDS(ON) 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.6Vth(V), TO252

应用简介:2SK3484-Z-E1-AZ是一款适用于高电压、高电流的N沟道MOSFET。

其高电压和高电流特性使其在高功率应用中表现出色,如高压电源、工业自动化等。

优势:能承受高电压、高电流:适用于高压、高功率应用。

适用于工业应用:常用于高压电源、工业自动化等领域。

适用模块:2SK3484-Z-E1-AZ适用于需要高电压、高电流开关控制的模块,如工业自动化设备中的电源模块等。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: MOS管 MOS mosfet VBsemi 2SK3484-Z-E1-AZ

相关推荐

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

DCorAC逆变器的制作

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

SiC MOSFET的并联设计要点

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

IR系列MOS驱动ic中文应用手册

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

器件资料\\IRF840

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

开关电源手册

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

快速、150V 保护、高压侧驱动器

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区