专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > AP2310GN-VB一款SOT23-3封装 MOSFET参数应用解析

AP2310GN-VB一款SOT23-3封装 MOSFET参数应用解析

发布人:VBsemi 时间:2023-10-08 来源:工程师 发布文章

AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),以及20Vgs(±V)的电压限制和1~3Vth的阈值电压范围。

VB1695.png

AP2310GN适用于多个应用领域。在电源管理、功率转换、驱动电路和开关电路等领域中,它可以实现电流控制和功率转换。此外,在汽车电子、消费电子和通信设备等领域,它也有潜在的应用。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: MOS管 MOS mosfet VBsemi AP2301N

相关推荐

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

快速、150V 保护、高压侧驱动器

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

SiC MOSFET的并联设计要点

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

IR系列MOS驱动ic中文应用手册

DCorAC逆变器的制作

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

器件资料\\IRF840

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

开关电源手册

IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区