DSSR122 图1中描绘了设备原理，仅考虑了门单元的高要求关断电路。器件的导通原则上相当于晶闸管或GTO的导通。由于分布式栅极结构(见图2 ),显著更高的导通脉冲可以容易地施加到功率半导体，从而导致晶闸管的快速锁存，并由此获得高dI/dt能力。在导通状态下，IGCT作为一个锁存晶闸管工作

DSSR122 对于主要故障模式的可靠性评估，讨论了设备鉴定的结果，包括加速试验、连续生产的质量监控结果、现场故障的结果以及苛刻应用中长期运行后的设备分析结果。与GTOs等前几代器件相比，我们特别关注该器件推出时的新设计特性。