MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻，其源头都在于这三个寄生...

先看一下这个电路：USB外接电源与锂电池自动切换电路设计如果主副输入电压相等，同时要求输出也是同样的电压，不能有太大的压降，怎么设计？这个电路巧妙的利用了MOS管导通的时候低Rds的特性，相比二极管的方式，在成本控制较低...

第一部分 静态非理想特性几乎所有的书籍资料，在讲解MOSFET的时候，都喜欢先从微观结构去分析MOSFET基于半导体特性的各种结构，然后阐述这些结构导致其参数的成因。但是这种方式对于物理基础较弱的应用型硬件工程师是非常不...

功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面：1）防止栅极 ...

本文详细介绍了MOS管的基本结构和应用 MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD 功率 MOS FET 功率 MOS FET 的特性 1. 绝对最大额定值及电特性 1.1 ...

通常，我们将MOS管视为一个三端器件，包括栅极、源极和漏极。然而，衬底是其隐藏的第四个端子。下图为一个nMOS，g、s、d、b分别代表栅极、源极、漏极和衬底。上图为以nMOS为例，简述其关断、线性区和饱和的条件绝大多数情...

一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。...

Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。一、MOSFET的击穿有哪几种？         先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫...

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电子元件大都是使用直流工作，电源线反接就有可能就会烧坏，那电路如何防反接？首当其冲我们想到的就是二极管了，运用其单向导通特性可有效防止电源反接而损坏电路，但是随之而来的问题是二极管存在PN节电压，通常在0.7V左右，低电...

MOS管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导体材料由于高温而分解）。更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿，这可能发生在相对于漏极或...

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