5月22日消息，综合日经新闻、路透社、《日经xTECH》报导，日本芯片大厂瑞萨社长兼CEO柴田英利于19日在线上举行的战略说明会上表示，将自今年起开始投资SiC功率半导体，目标在2025年开始进行量产。

据介绍，瑞萨将利用旗下目前已生产硅制功率半导体的高崎工厂的6吋晶圆产线进行生产，以应对随著电动车（EV）普及，带动节能性能优异的SiC功率半导体今后需求有望显著增长。瑞萨在去年11月就表明要进军SiC功率半导体市场，此次则是首度明确说明投资战略。

瑞萨目前采取的生产策略是先进逻辑芯片等产品委外由晶圆代工厂生产，而易于采用自家技术的功率半导体则靠自家工厂生产。而除了SiC外，瑞萨也将对现行电动车采用的硅制IGBT等功率半导体进行积极投资，于2014年关闭的甲府工厂预计将在2024年上半年重新启用，将生产硅制功率半导体。

在SiC功率半导体市场上，瑞士ST Microelectronics、德国英飞凌（Infineon）、日本三菱电机等厂商也正致力于投资，瑞萨可说是起步比较慢。

柴田英利表示，“在功率半导体上、我们起步非常慢。例如电动汽车用IGBT现在的市占率预计为10%左右。但甲府工厂开始生产的话，（市占率）将可增至2倍、3倍。”

柴田英利自信的表示，“客户对瑞萨IGBT的评价非常高、会将这些评价延用至SiC事业上。现在SiC市场仍小，但将来毫无疑问的会变得非常大。客户对瑞萨SiC产品的询问，即便是（尚未生产的）现在也非常强劲，2025年开始生产的话，事业将可顺利进行。”

和硅制功率半导体相比，SiC功率半导体拥有更优异的耐热/耐压性，电力耗损少，帮帮助电动车提高续航距离，而除了电动车外，来自蓄电池等再生能源领域的需求也看涨。

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