1879年霍尔(A.H.Hall)在实验中发现：在均匀强磁场B中放入一块板状金属导体，并与磁场B方向垂直如图1，在金属板中沿与磁场B垂直的方向通以电流I的时候，在金属板上下表面之间会出现横向电势差UH 这种现象称为霍尔效应，电势差UH 称为霍尔电势差。进一步的观察实验还指出，霍尔电势差UH 大小与磁感应强度B和电流强度I的大小都成正比，而与金属板的厚度d成反比。即UH =RHIB/d (V)；式中RH——（m^3*C^-1）仅与导体材料有关，称为霍尔系数。当时虽然发现了霍尔效应现象，但在发现电子以前，人们不知道导体中的载流子是什么，不能从电子运动的角度加以解释霍尔效应的物理现象，现在我们按电子学理论对霍尔效应做了如下的解释：金属中的电流就是自由电子的定向流动，运动中的电子在磁场中要受到洛仑兹力的作用。设电子以定向速度运动，在磁场B中，电子就要受到洛伦兹力f作用，电子沿着f所指的方向漂移，从而使导体上表面积累过多的电子，下表面出现电子不足，从而在导体内产生方向向上的电场。当这电场对电子的作用力－eEH 正好与磁场作用力f相平衡时，达到稳定状态。

霍尔效应被发现后，人们做了大量的工作，逐渐利用这种物理现象制成霍尔元件。霍尔元件一般采用N型锗（Ge）,锑化铟（InSb）和砷化铟（InA）等半导体材料制成。锑化铟元件的霍尔输出电势较大，但受温度的影响也大；锗元件的输出电势小，受温度影响小，线性度较好。因此，采用砷化铟材料做霍尔元件受到普遍的重视。霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。按照霍尔器件的功能可将它们分为: 霍尔线性器件和霍尔开关器件。前者输出模拟量，后者输出数字量。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。 霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽可达－55℃～150℃。按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。

专栏文章内容及配图由作者撰写发布，仅供工程师学习之用，如有侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 联系我们