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未来5年投资或超2000亿美元,台积电计划在台新建超十座2nm及3nm晶圆厂

发布人:芯智讯 时间:2023-03-19 来源:工程师 发布文章

3月17日消息,据中国台湾媒体《工商时报》报道,未来五年内,台积电将在中国台湾建设的3纳米及2纳米晶圆厂合计将超过10座,以先进制程月产能3万片晶圆厂投资金额约200亿美元估算,总投资金额将超过2000亿美元,预计将带动包括材料、设备等供应链厂商发展。

据悉,台积电3nm生产重镇以南科Fab 18厂区为主体,已完成Fab 18厂区第五期至第八期共4座3nm晶圆厂,未来将视市场需求决定是否兴建第九期的3nm晶圆厂。

台积电2nm晶圆厂,预计会落脚在新竹与台中科学园区,共计有六期工程,已按计划持续进展中。根据台积电公布资料,台积电在竹科宝山二期兴建的2nm超大型晶圆厂Fab 20,将会兴建第一期到第四期共4座晶圆厂,台积电正在争取中科台中园区扩建二期开发计划的建厂用地,在取得用地后会再兴建2座2nm晶圆厂。

今年1月,台积电总裁魏哲家在法说会上公布了3nm以及2nm技术的进展,魏哲家称3nm于去年第四季度量产,高性能计算及智能手机客户需求超越供应能力,2023年将全产能生产。升级版3nm(N3E)制程也将于今年第三季度量产。

魏哲家表示,N3及N3E制程今年合计将贡献中个数百分比(约4%至6%)营收,营收贡献将高于5nm制程量产第1年的贡献,客户产品设计定案数量也将是5nm的2倍以上。

至于计划2025年量产的2nm制程研发进度,魏哲家指出,进度比原先预期来得好,维持风险试产2024年、量产2025年。据悉,台积电的2nm制程在相同功耗下,相比3nm的性能高10~15%;相同性能下,功耗可降低25~30%。


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关键词: 芯片

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