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PL2300GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET

发布人:百盛电子01 时间:2022-09-23 来源:工程师 发布文章

特征
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计(开启)。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。


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关键词: PL2300GD N通道MOSFET
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