日前，据天眼查消息显示，华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利，公开号CN113054010A，申请日期为2021年2月。

专利摘要显示，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型****极层、栅极、场截止层和P型集电极层等。上述半导体器件，可以有效降低IGBT的集电极与****极之间的漏电流。

行业的发展往往依附于需求，近年来，IGBT市场需求大幅上涨，国内IGBT厂商随之加速增长，部分下游应用厂商也向上游 IGBT 领域布局，华为也投身此浪潮。除IGBT，华为还持续布局第三代半导体。

自2019年起，业内就传言华为开始着手研发IGBT。

2020年7月，华为旗下投资平台哈勃，投资入股了一家IGBT厂商——东微半导体。据介绍，东微半导体主要产品为MOSFET、IGBT等高性能功率器件，主要满足各种电能转换系统的应用，包括快速充电器、充电桩、开关电源、直流电机驱动、光伏逆变器等。

今年3月，更是有知情人士透露，华为正在为公司的功率器件研发大肆招兵买马，其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件，队伍已有数百人之多。

而第三代半导体，既是十四五重点，也是两会关键词之一。随着“碳中和”、“新基建”的提出，第三代半导体需求高涨，站上风口。

SiC方面，华为哈勃成立至今，已投资了8家第三代半导体相关企业，其中SiC企业就有4家，设计外延和衬底领域，足见华为对SiC的重视和看好。

GaN方面，早在几年前，华为就已经在其4GLTE****中采用了氮化镓功率放大器；2020年，华为发布了65WGaN（氮化镓）双口充电器，有传言称，此款充电器很有可能就是华为自研；同年8月，华为智能汽车解决方案BU总裁王军在公众场合透露，华为目前正在研发激光雷达技术。而GaN晶体管的进步已被证明是开发高精密激光雷达系统不可或缺的一部分。

文稿来源：化合物半导体市场，Amber

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