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NP4836高VGS耐压，独立双N沟道MOS

发布人：bsdz1 时间：2020-11-13 来源：工程师

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NP4836高VGS耐压，双N沟道，独立双NMOS，采用SOP8封装，

TDM3478，FP6606C，FP6606AC ，FP6601Q，FP6601AA

一级代理商，源头货源，可靠，优势，可未税/含税，支持小批量量产，技术支持。

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