使用多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构。

这是由于3纳米已达FinFET技术的瓶颈，会出现制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，就算有EUV技术加持，但2纳米势必要转换跑道。虽然三星提早在3纳米就打算采用GAA，意图在此技术上弯道超车台积电，但台积电研发多年的纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术，及EUV运用经验，将能使良率提升更顺利。

因此不少法人预期，若台积电2纳米在2023年即能投产，三星恐怕也很难实现弯道超车的计划。就目前台积电所公布的制程推进现况来看，采用EUV的5纳米良率已快速追上7纳米，显见台积电在良率提升上的底蕴，甚至有业界人士预期风险试产良率即可到9成。三星虽提前量产3纳米GAA，但在性能上未必能压过台积电，而GAA良率上的落差可能也不会如预期般明显，且据传2纳米背后还有苹果的研发能量支持。

不过未来半导体制程将会更具竞争，不仅是三星，英特尔的SuperFin技术也不可小觑，虽然纳米节点时程落后，但实际性能并不算差。早有舆论认为，台积电及三星的制程竞逐，很多只是数字游戏，而英特尔其实相对踏实，就实际电晶体密度等指标来看，新的英特尔10纳米强化版已接近台积电5纳米，是非常大的单一节点升级。

只要英特尔也敢忍痛杀价，SuperFin仍然很有高端市场的竞争力，就如同三星8纳米已打出成绩一般，台积电虽然还占有优势，但仍不能轻敌。目前台积电已表示，未来2纳米研发生产将落脚新竹宝山，将规划建设4个超大型晶圆厂，将成为下一轮半导体大战主力。

之前，苹果在新品发表会上，虽然没有发表新一代的iPhone。不过，预计在新一代iPhone及iPad Air上将搭载的A14 Bionic处理器则是正式亮相。因为，受惠于台积电5纳米制程技术，使得A14 Bionic处理器较上一代的A13 Bionic处理器性能提升30%，电晶体数量达到118亿个。而因为A14 Bionic处理器的正式登场，也让许多消费者开始期待，新一代非苹阵营的高通骁龙(Snapdragon)处理器将会有甚么样的性能表现。

日前，就有外媒指出，新一代的高通骁龙875处理器将采“1+3+4”的三丛集架构，其中将采用Arm日前新推出的Cortex X1超大核心，使得性能提升状况让人期待。

报导指出，这将会是高通8系列旗舰型处理器当中第一颗整合5G基带芯片的高通骁龙875处理器，将采用三星的5纳米制程来生产。而其中的核心设计，将是“1+3+4”的三丛集架构。也就是1个超大核心搭配3个大核心、以及4个效能核心的设计。而在超大核心的部分，将采用Arm日前新推出的Cortex X1超大核心。而3个大核心方面，则是采用与Cortex X1同时发表的Cortex-A78核心。根据Arm之前官方所公布的资料显示，Cortex X1的超大核心较上一代的Cortex-A77大核心性能高出30%，也较Cortex-A78大核心性能高出22%，而采用Cortex X1超大核心预计就是要提升整体处理器的性能。

事实上，高通自骁龙855处理器开始，就已经在8系列的旗舰型处理器上导入了“1＋3＋4”三丛集架构。以当前高通的骁龙865单芯片处理器为例，它采用的就是1个Cortex A77超大核心＋3个Cortex A77大核心＋4颗Cortex A55能效核心的架构设计。但相较于新一代的骁龙875而言，骁龙865的超大核和大核心均为Cortex A77，只是高通将骁龙865的Cortex A77超大核心的运算时脉提升，就成了超大核心来运作执行。如此，对比采用全新设计超大核心Cortex X1的骁龙875处理器来说，则未来性能的进一步提升将可以期待。

而虽然，高通骁龙875处理器的性能将较上一代有所提升。不过，因为在预计整合进高通骁龙X60 5G基带芯片，而且采用新核心架构的情况下，则预计价格也将会再创非苹阵营处理器的新高，届时就看效能与价格的取决条件上，消费者能否接受了。只是，过往高通骁龙新一代旗舰型处理器都会在年底前发表，而次一年的第1季就会有终端产品的推出。但是在2020年受到武汉肺炎疫情的冲击下，届时是否能够准时登场，则还必须持续注意。

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