IGBT功率半导体动态参数、静态参数测试

功率器件在新能源汽车、智能电网等领域有广泛应用，其中，IGBT技术瓶颈不断被打破，第三代半导体功率器件也开始由实验室阶段步入商业应用。通常这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平，更快的开关时间，对测试设备及人员技术要求高，在研发时间与成本的双重压力下，全参数测试成为不少制造商的难题。

解决方案

广电计量（GRGT）积极布局新型IGBT及第三代半导体功率器件的测试业务，引进国际先进的测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件全参数检测服务。同时，广电计量通过构筑检测认证与分析一体化平台，为客户提供器件可靠性验证及失效分析，帮助客户分析失效机理，指导产品设计及工艺改进。

IGBT试验项目

静态参数：BVDSS IDSS、IGSSVGSth)、 RDS(on)、VvDSoni VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、s、Vespl)

动态参数：td(on)、tr、tdof)、tf、Eon Eoff、tr、Qrr、Irm、dirr/dt、QG、QGC、QGE…

其他参数：Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOR…

覆盖标准

·AEC-Q101分立器件认证

·MIL-STD-750半导体器件试验方法

·IEC60747系列Semiconductor Devices， Discrete Devices

·GB/T29332半导体器件-分立器件-第9部分∶绝缘棚双极晶体管（GBT）

·AQG324功率模块车规认证

IGBT参数测试业务联系人：

李经理 138 0884 0060

lisz@grgtest.com

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