FRAM器件提供非易失性存储，用10年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作多年，并长期保持数据的能力建立这些强大的设备进入低功耗能量收集应用程序。
 
设备配置
设计人员可以找到FRAM存储器支持并行，SPI串行或I2C / 2线串行接口。例如，连同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM，富士通提供1MB的SPI串行器，MB85RS1MT，使设计人员能够采用典型的SPI主/从配置（图1）设备的任意数字。除了在较低的电源电压比他们的同行并行操作，串行FRAM器件还提供了适用于空间受限的设计更小的封装选项。例如，ROHM半导体32K SPI串行MR45V032A是在8引脚塑料小外形封装（SOP）只有0.154测量“和3.90毫米宽度可用。
 

 
图1：设备，如富士通MB85RS1MT允许使用熟悉的主/从配置为SPI-配备的MCU - 或使用使用设备的SI和SO端口，用于非基于SPI的设计，简单的总线连接解决方案。 （富士通半导体提供）
 
FRAM技术的优势扩展到微控制器，如德州仪器MSP430FR MCU系列具有片上FRAM。在微控制器，FRAM的高速运行速度整体处理，允许写入非易失性存储器进行全速而不是强迫MCU进入等待状态或阻塞中断。 TI的FRAM微控制器系列的延伸，如MSP430FR5739其全功能MSP430FR5969系列设备。最小的设备在MSP430系列中，MSP430FR5739是一个24引脚2×2芯片尺寸的球栅阵列（DSBGA）可用，但包括5个定时器，一个12通道10位ADC，以及直接存储器存取（DMA）用于最小化在主动模式下的时间。
 
TI的MSP430FR5969是该公司低功耗MCU具有实质性芯片FRAM存储（图2）。在主动模式下，MCU仅需要为100μA/ MHz有源模式电流和450 nA的待机模电流与实时时钟（RTC）启用。在这一系列的设备包括一个全面的外设和一个16通道12位模拟 - 数字转换器（ADC），其能够单层或差分输入操作。这些MCU还配备了256位高级加密标准（AES）加速器和知识产权（IP）封装模块，用于保护关键数据。
 

 
图2：德州仪器MSP430FR5969 MCU结合周边的全套带有片上FRAM存储器，而只需要100μA/ MHz有源模式电流和显著少带了多个低功耗模式（LPM）。 （德州仪器提供）

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