随着人工智能（AI）及物联时代的开启，电子产品及电子元起价在目前不断升级改进的制造工艺支撑下，都朝着体积更小、速度更快、智能化程度更高及供电电压更低（低功耗）的方向发展，以支持更新更好的应用。各芯片器件厂商竞相在更小的空间植入更多的功能，加速设备的小型化步伐，不过，半导体芯片尺寸的缩小和掺杂水平的提高，导致半导体芯片的薄栅极氧化层和 pn 结的宽度大幅降低，与更多的电路结合在一起，这可大幅降低了芯片对ESD静电放电及其它一些脉冲尖峰电压的抗干扰能力，使主芯片在使用过程中会出现重启、死机或者损坏的现象；

目前像自动驾驶、远程医疗、智慧城市等领域所涉及的电子设备的主要芯片（如DSP、CUP、MCU、ARM、DDR ...）都会有多路低电压供电如 1.8V、1.5V、1.15V 、1.05V等等，然在ESD静电放电及瞬态电压抑制产品上业界主流低压仅到3.3V，若使用较高的击穿及钳位电压器件不能很好的对上诉主要芯片提供有利的保护；针对此类问题，优恩半导体在国内业界首推超低压系列ESD静电保护器，新产品具有优秀的静电放电及瞬间脉冲浪涌防护能力且同时还拥有极低的钳位电压，这些优势能使新的 ESD 防护器有效的对后面 ESD 敏感的芯片及其他相关电路提供所需的静电放电及瞬间脉冲浪涌保护。

优恩半导体公司目前1.8V超低压保护系列TVS管有：ESD1.8V02D-C，ESD1.8V88D-CDN。2.5V超低压保护系列TVS管有：ESD2.5V02D-C，ESD2.5V88D-C，ESD2.5V88D-CDN，3.3V超低压保护系列TVS管有：ESD3.3V88D-A，ESD3.3V88D-C，ESD3.3V88D-LCDN，ESD3.3V88D-CDN。

特性:

小封装DFN1006/DFN0603，能大限度的节约PCB板面积;

超低反向截止电压（工作电压）1.8V、2.5V、3.3V....；

低残压、低漏流；

快速的响应时间；

优秀的静电及瞬间脉冲浪涌防护能力；

IEC 61000-4-2: ±30kV  air discharge；             

               ±30kV  contact discharge；

应用:

智能手机、平板电脑类便携式设备

运动手环、蓝牙耳机（TWS）类穿戴设备；

5G小型****、可编程式工业交换机类通信安防

多功能心电监护类医疗设备

智能家居控制设备

智慧农业设备

本文来自优恩半导体（www.unsemi.com.tw），如需转载，请注明出处。

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