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1，Coolmos的选型      一般我们选择一颗MOS  大致看以下几个参数 BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是这几个参数，只有Qg和Id是交流参数，其他都是静态参数。而半导体这东西就是随温升变坏的。那动态参数，其实是变坏的。25度的电流是100A，也许125度的时候，电流只有50A，所以选型的时候要以高温下（老化房）的数据为准。那选好了电压、电流，剩下就是看Coolmos的损耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 较低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的导通损耗必然较之平面管要低不少。MOS的另外一个损耗，开关损耗其实往往更加占主导。开关损耗在MOS里最直接体现的数值是Trr。这也是Coolmos最核心的参数。从coolmos的发展来看   C3 C6 CP CFD  CFD2 都是在Trr上下功夫（C6除外，他是C3的Cost down）。你是电源设计者，Trr的合理使用，你比我清楚。Coolmos在实际应用中，MOS前段的Rg驱动，一般对电阻要求会低很多。这也能降低损耗。举个例子，20N60C3  MOS前段的驱动电阻一般可做到15mohm以下，但是也不是越低越好，开关越高，EMI的问题就出来了。所以驱动电阻的选择要综合考虑，在EMI允许的情况下，尽量降低驱动电阻。

2.Coolmos是否需要采用散热措施。我只能说要看功率，举个例子，150W的LED电源上，你觉得可以不加散热嘛？15W的LED电源上，加散热装置，那有地方么？Coolmos，在应用端，解决了有的电源方案需要电子器件更小的体积，甚至是去掉散热片（如Iphone的充电器），而大功率上看重Coolmos的还是他能降低损耗，所以散热片是一定要加的。

3.Coolmos目前在国内应用还是非常片面的，任重而道远。举个例子，在一个70W的笔记本适配器上，很多还是用的20A的平面管（或者是16A），但是我们知道实际电路里的有效电流其实很小，用20A只是看重他的低内阻，降低损耗，降低温升。那现在很多工程师来Rreview这个方案的时候，脑子还是转不过弯来。如果使用Coolmos，他认为还需要16A的，那同等电流，价格肯定不可比的。其实呢，Coolmos 10A足够去替代了。开关损耗，Coolmos要较平面管低很多，内阻的话Coolmos的10A较之16A的平面也不会高多少，在高温下，基本内阻是一致的。（有机会发个实验数据，16A的平面管和10A的Coolmos在100度下，内阻是相差不多的---前提，带负载，体现开关损耗低的特点），所以工程师要多了解Coolmos。

在中压MOS（100-150V），英飞凌、ST、AO、FC均有超低导通电阻、超低损耗的MOS出现，如Opti3MOS(艾默生、华为都有大量使用，是未来的主导）、SDMOS等。

总之一句话：MOS在发展，损耗会越来越低。电源方案只会像更高效率和更小体积发展。

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