场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写（FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　（1）为了安全运用场效应管，在线路的设计中不能超越管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。　　

　　（2）各类型场效应管在运用时，都要严厉按恳求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压，等等。　　

　　（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必需将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。特别要留意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保管时最好放在金属盒内，同时也要留意管的防潮。

　　（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，恳求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必需有良好的接地;管脚在焊接时，先焊源极;在连入电路之前，管的全部引线端坚持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时，应以恰当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然，假设能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较便当的，并且确保安全;在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在运用场效应管时必需留意。

　　（5）在安装场效应管时，留意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处中止，以防止弯断管脚和惹起漏气等。关于功率型场效应管，要有良好的散热条件。由于功率型场效应管在高负荷条件下运用，必需设计足够的散热器，确保壳体温度不超越额定值，使器件长期稳定可靠地工作。

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