VishayIntertechnology推出了全新的30VN沟道TrenchFET®GenIV功率MOSFET，使电源系统设计人员能够实现更高的功率密度和效率。下面简单来了解一下相关的知识。

　　VishaySiA468DJ采用超小尺寸2mmx2mm封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的30VMOSFET器件。其PowerPAKSC-70封装比采用PowerPAK1212封装的同类

　　MOSFET小60％。

　　它适用于移动设备和电源中的DC/DC转换及电池管理的负载切换。

　　VISHAYVishaySiA468DJ的导通电阻比前一代Vishay30VMOSFET低约51％，比竞争对手的同等规格器件低7%。

　　该MOSFET的连续漏极电流额定值也比前一代Vishay器件高68％，比竞争对手的同等规格器件高50%，为会碰到高瞬变电流的应用产品提供了足够的安全余量。

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