大面积800μm直径 4H-多型碳化硅紫外(UV)雪崩光电二极管，具有高增益(106)、高量子效率(81.5%)和低暗电流强度，并且紫外/可见光抑制比很高。在该产品中，首次采用了变温光致抗蚀剂回流技术，以产生平滑的斜面侧壁，它能抑制泄漏电流，避免过早的边沿击穿。

紫外探测在天文、通讯和生化分析方面有着广泛的应用；紫外线还能在荧光实验和火焰中****；军事警报和制导系统可以利用可见盲的紫外感应来引导或跟踪导弹羽流。

目前的碳化硅紫外APD在较大的反向偏压下存在较大的暗电流和过早击穿现象。这种方法将目前典型的碳化硅紫外APD的直径限制在250微米以下，从而降低了检测的灵敏度。研究者们认为他们所研究的碳化硅紫外APD大面积器件可能替代既笨重又昂贵的光电倍增管。

它的制作始于电感耦合等离子体的腐蚀。在此过程中，台面倾斜以避免边缘击穿效应；台面蚀刻所用的厚刻胶经过回流处理，其中晶片由90℃每分钟加热到145℃。

变温提供了一个光滑的斜面，而在145°C时，它不同于恒定的温度回流30秒，从而产生了锯齿表面。同时，齿面的暗流会增加，导致过早击穿。固定温度回流会产生不均匀的热场，导致抗蚀剂表面张力和回流速度的空间变化，从而产生表面粗糙度。经测定，不同回流温度下产生的APD能在156V附近维持一个稳定的高击穿值，而固定温度下产生的APD雪崩光电二极管则能在100~150V之间变化很大。

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