半导体结自加热效应

随着测试时间增加，VCSEL的半导体结逐渐变热。正向电压测试变得对半导体结自加热效应敏感。随着半导体结发热，电压下降，更严重的是，在恒定电压测试中漏电流会上升。

因而，在不牺牲测量精度和稳定性的前提下保持尽可能短的测量时间变得非常重要。SourceMeter©系列设备允许用户在测量前定义器件的热机时间，以及获得输入信号的时间长度。热机时间可以保证任何电路电容在测量开始前进入稳态。测量积分时间由电源的线性周期数（NPLC，number of power line cycles）决定。如果输入电源是60Hz，1个电源线性周期测量需要1/60 s，即16.667ms。积分时间决定了模数转换器ADC采集输入信号的时间。通常，所选择的积分时间表示了速度和精度之间的折中。

VF测试的典型热机时间范围是1~5ms，对于光强度-电流测试，该时间范围是5~20ms。这段短暂的热机时间有助于减少由半导体结自加热效应带来的误差。通过进行一系列测试并且在每一次重复测试时只改变热机时间的做法，可以进行半导体结的热特性测试。

漏电流

除了电缆和待测器件夹具通常的漏电特性之外，测试夹具的导电性沾污会随着时间增加，产生漏电流。在测量小电流或采用小电流光电二极管时，需要想办法减小漏电流。

一种减小漏电流的方法是，采用带保护的夹具。在带保护的夹具中，待测件附近的区域与输出的HI信号保持相同的电势，可以减小待测件和漏电流路径上的电压。要了解更多更详细的关于保护装置和防护敏感信号的解释，请参见吉时利名为“Obtaining More Accurate Resistance Measurements Using the 6-Wire Ohms Measurement Technique”的文章，可以在吉时利网站上查到。

图1 使用开关进行多器件测试

图2 采用多个2602型源表系统进行并行测试的配置

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