正向电压测试

要理解新的结构单元材料，如石墨烯、碳纳米管[1]、硅纳米线[2]或者量子点，在未来的电子器件中是如何发挥其功效的，就必须采用那些能在很宽范围上测量电阻、电阻率、迁移率和电导率的计测手段。这常常需要对极低的电流[3]和电压进行测量。对于那些力图开发这些下一代材料并使之商业化的工程师而言，在纳米尺度上进行精确的、可重复的测量的能力显得极为重要。

光学测试

光学测量中也需要使用正向电流偏置[4]，因为电流与HBLED的发光量密切相关。可以用光电二极管或者积分球来捕捉发射的光子，从而可以测量光功率。可以将发光变换为一个电流，并用电流计或者一个信号源－测量单元的单个通道来测量该电流。

反向击穿电压测试

对HBLED施加的反向偏置电流可以实现反向击穿电压[5]（VR）的测试。该测试电流的设置应当使所测得的电压值不再随着电流的轻微增加而显著上升。在更高的电压下，反向偏置电流的大幅增加所造成的反向电压的变化并不显著。VR的测试方法是，在一段特定时间内输出低反向偏置电流，然后测量HBLED两端的电压降。其结果一般为数十伏特。

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