专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 关于ARM的ROM、RAM

关于ARM的ROM、RAM

发布人:mayer 时间:2009-09-06 来源:工程师 发布文章
关于ARM的ROM、RAM

 

       ARM架构和51型单片机的一个显著区别就是:ARM的数据和代码是统一编址的,二者可使用相同的指令访问;单片机是分别编址的,使用不同的指令访问。现在的增强型单片机虽然内部RAM空间也不小,但代码只能老老实实在Flash中运行,Ram中只能存放数据,想在其中运行程序想都别想。ARM由于统一编制,则代码可在RAM中运行。

   代码在RAM中运行一般比Flash中要快的多。那干脆让所有的代码都在RAM中跑,不是更快吗?是的,但是要注意以下三点:1.所有的代码和数据在未上电之前都存储在非易失性存储器中(现在一般为Flash)。刚上电时,肯定是先运行Flash中的初始化程序,由Flash中的代码构造数据区,将Flash中的代码拷贝到Ram中指定的位置,再去运行之。2.ARM体系结构要求异常向量必须存放在地址0x00处,RAM的地址一般不是从0开始,但是如果ARM芯片支持Remap或MMU,则可在初始化完毕后完全脱离Flash运行。3.构建在Ram中运行的代码必须有编译器和启动代码的支持。

专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词:

相关推荐

MUR-100读卡器演示软件 V1.9

贸泽电子与STMicroelectronics推出全新电子书 分享工业自动化领域的新知和观点

可编程控制器EDA教程 03

视频 2010-01-21

芯科科技出展CES 2026并展出如何加速互联智能的未来

可编程控制器EDA教程 01

视频 2010-01-21

现代旗下波士顿动力公开演示最新款阿特拉斯机器人

意法半导体推出创新型Teseo VI系列全球导航卫星系统 (GNSS) 接收器芯片,推动汽车及工业应用领域,精准定位技术普及化

MSR-260读卡器演示软件

Other World Computing宣布推出ThunderBlade X12升级版,提供最高达192TB的Thunderbolt 5移动式RAID存储

可编程控制器EDA教程 05

视频 2010-01-21

Diodes公司推出超低VCE(sat) NPN与PNP双极型晶体管

NETCOM-10S M以太网转串口产品数据手册

MUR-100读卡器驱动程序

可编程控制器EDA教程 04

视频 2010-01-21

可编程控制器EDA教程 02

视频 2010-01-21

NETCOM-100S M以太网转串口产品数据手册

意法半导体全新集成STM32WBA6无线微控制器将额外功能和性能与能效相结合

Other World Computing推出8TB OWC Envoy Ultra Thunderbolt 5 SSD

TIER IV 将在 CES 2026 展示面向 Level 4+ 自动驾驶的端到端 AI 技术

汽车电子 2026-01-07

Teledyne Space Imaging宣布推出用于太空的升级筛选传感器

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区