专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 51内核相关

51内核相关

发布人:mayer 时间:2009-08-19 来源:工程师 发布文章
51内核相关

 

   51内核采取冯.诺依曼结构,包括CPU、内部RAM、内部ROM、位处理器、定时器、串行口、并行口和中断控制系统等。

下以80C51为例具体说明:

内部RAM:共256个数据存储单元,分低128单元和高128单元。低128单元供给用户使用,分三个区域:

(1)、寄存器区,前32个单元,分4组,每组8个寄存器,CPU任一时刻只能使用其中一组寄存器,有程序状态字PSW的RS1、RS0决定。

(2)、位寻址区,20H~2FH,共16个字节,128位,可字节寻址,也可位寻址。

(3)、用户RAM,30H~7FH,共80单元,堆栈一般在此建立。

高128单元是供给专用寄存器,共22个,占用80H~FFH单元:如程序计数器PC、堆栈指示器SP、累加器A、程序状态字和数据指针等。

内部ROM:

80C51共4KROM单元,地址为0000H~0FFFH,其中0000H~002AH共43单元保留给系统启动和保存中断地址使用。中断地址分:外中断0、定时器0、外中断1、定时器1和串行中断。

专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词:

相关推荐

后贸易时代,国产半导体行业如何突围困局?

第四代半导体,破晓时刻

EDA/PCB 2025-04-08

高速电路设计技巧\\sect7a

资源下载 2007-12-29

提升约2倍散热性能!东芝推出新型SCiB™锂离子电池模块 适用于频繁高倍率充放电使用场景

2025-04-08

三家半导体公司核心技术人员发生变动

高速电路设计技巧\\sect5

3V-5V电平转换

Qorvo 推出全新 BLDC 电机驱动器 ACT72350 —— 有效缩减方案尺寸、设计周期和 BOM 成本

三星电子计划上调存储器价格

高速电路设计技巧\\sect6

资源下载 2007-12-29

180度E-Bike解决方案(基于78K0R MCU)

视频 2012-07-03

Design of microwave filters

E-Bike报警应用方案

视频 2012-07-03

中国液冷服务器市场加速扩张,头部聚势驱动应用深化

智启AI+新纪元,贸泽电子将亮相2025慕尼黑上海电子展

180度E-Bike解决方案(基于R8C MCU)

视频 2012-07-03

78K0微波炉解决方案

视频 2012-07-03

BLDC无传感器风扇解决方案

视频 2012-07-03

服务器厂下半年迎Blackwell世代

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区