MOSCAP结构之三：CV测量原理
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MOSCAP结构之三：CV测量原理
1，为什么要进行CV测量？
MOSCAP结构已经在无尘室里被制造出来，对于任何一个器件来说，人们要想正确、有效地使用它的话，就必须对它的性质有充足的了解。依据CV测量，人们可以尽可能多的了解一个半导体器件的相关性质。
2，决定MOSCAP结构性质的一些重要参数
（1）电容Cox
条件：dox 大于5 nm；器件工作在累积区
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