1〉 conduction loss导通损耗，功率管（MOSFET or Diode）在导通状态下的损耗。在主要决定是Rds(on)，若Duty cycle值越小，则下管的此值越重要。

2〉 switching loss开关损耗，即MOSFET在开启和关断时，因官上同时存在V和I（V*I不等于零）产生的损耗，则主要决定是MOS开启关断的时间（Cgs+Cgd）。

3〉 charge based loss门极电荷损耗,即MOSFET的寄生电容在充放电时产生的损耗。主要决定是上管Qg和下管的Qds。

4〉 dv/dt shoot through loss主要决定是下管的Qgs/Qgd（比值）和Vgs(th)。

Shoot-through is defined as the condition when both MOSFETs are either fully or partially turned on, providing a path for current to “shoot through” from Vin to GND.

shoot through loss ：当下管关闭，上管开启时，因在SW点（switch node）的电压有从0到Vin的阶跃变化dv/dt，并通过下管的Cgd耦合到gate端，向Cgs充电当充电到Vgs(th)时，会把下管打开，形成shoot through loss, 为消除次现象，除了设dead time的延迟驱动上下管外，在选择MOSFET是考虑Cgs/Cgd>2，Vgs(th)值要大（取junction temperature时的值，此时的Vgs(th)最小，不是取典型值），大的上管Trise（开启时间）有助于减少Vstep(因dv/dt)，但同时会增加swithing loss，所以此值为在消除shoot through时取最小值。