应该用共射电路驱动，避免用射随。
关于电路参数，设计上每个数值的选取都是有意义的，不能乱来。
以跟楼顶图的逻辑完全一致的<Fig.1>为例：
1、先查好继电器的吸合电流，在此假设为60mA。
2、从驱动管SS9013的手册查得直流放大倍数不小于64（图中打不出≧，以＞代替了），算得基极电流Ib不小于1mA，Rb应≦4.3k，考虑到电源波动及电阻误差等因素实际取值为2.7kΩ～3.3kΩ。
3、根据TLP521的手册查得CTR≧50%，因此须使P1.1输出一路能有2mA驱动，R11须≦1.2k，考虑到误差并参照TLP521手册中的CTR测试条件，实际取值为430Ω～510Ω。

Rbe的作用：

当光耦非驱动时（或单片机电源迟于继电器电源上电时），Q1基极如果开路的话则很容易受干扰使继电器误吸合。有了Rbe就可以避免让Q1基极处于高阻态。
另一方面，Rbe可以抑制三极管的穿透电流Iceo。质量差的管子Iceo也大，成为诱导继电器误吸合的原因之一。
由于Rbe造成的分流=0.7V/Rbe，通常有百把uA就足够了，不很严格，Rbe通常取4.7k～10k。

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