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介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异

发布人:mayer 时间:2009-05-16 来源:工程师 发布文章
介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异

1、P和N 。这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话,这是关于MOS最重要的知识。
2、增强型耗尽型。大多数管子都是增强型的,耗尽型在无线电设备上有用到,平时说的功率MOS都是增强型的,它的功率可以做得很大。
3、记住:不到万不得已不要用P沟道的MOS,价格昂贵、导通电阻大、发热大、效率低,它的唯一的优点是在某些场合中容易驱动,因为只要把栅极电压拉下来就可以了,而N沟道的MOS需要更高的驱动电压,这点很麻烦。

还有,分析电路的时候,P沟道的可看成PNP三极管,N沟道的可堪称NPN的三极管,这样分析会更直观。

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