FSI国际有限公司近日宣布，公司已成功地采用FSIViPR技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺，IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中，大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的FSIZETASprayCleaningSystem喷雾式清洗系统中已经采用了FSIViPR技术，并将用于升级最近已经在生产现场安装的系统。
镍铂硅化物最早应用于65nm逻辑器件，因为它的阻抗更低，从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中，业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下，去除未反应的镍和铂是非常有挑战性的。在2005年，FSI凭借其新开发的镍铂剥离工艺解决了这一问题。

　　随着业界使用镍铂硅化物的经验增加，IC制造商观察到更低的硅化物形成温度可降低结泄漏电流。不过，这一温度更低的工艺在金属去除步骤中带来了其它的复杂性，并使得高良率的集成方案无法实现。新的基于FSIViPR的工艺没有这一限制，从而使得这样一个低成本、高良率低温退火镍铂硅化物工艺得以实现。    

    “通过持续发展我们的ViPR工艺来解决更多的制造问题，我们的客户从生产力和工艺改善中持续地得到了好处，”FSI董事长兼首席执行官DonMitchell说，“能够在现有的机台上为业界提供新的解决方案，我们总是感到很高兴，因为这可在为未来几代技术提供扩展性的同时，进一步降低客户的成本。”

    FSI的ViPR技术最早在2006年推出时针对的是全湿法光刻胶去除，当时它是用作一种取消光刻胶掩膜去除顺序上的灰化步骤的方法。取消灰化引起的损害带来了更低的材料损失、缩短了周期时间和降低了总的资金投入。ViPR技术目前正被一些全球最大的集成电路制造商在制造工艺中实施。 

    ZETA系统使用离心喷雾和多功能化学品传送技术，在一个成分和温度可控的情况下准备化学制品，以直接扩散到晶圆表面上。ZETA系统已在很宽范围的应用中得到了验证，包括用于硅化物形成的钴和镍蚀刻、光刻胶剥离和灰后后清洗、非超声波法的粒子去除和晶圆回收。

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