- 典型的半导体电容在pF或nF范围内。许多商业上可用的LCR表或电容计补偿后可以使用适当的测量技术来测量这些值,然而,一些应用需要在飞秒法(fF)或1e-15范围内进行非常灵敏的电容测量。这些应用包括测量金属到金属的电容,晶片上的互连电容,MEMS器件,如:开关,纳米器件端子之间的电容。如果没有使用适当的仪器和测量技术,这些非常小的电容很难进行测量。使用4200A-SCS参数分析仪配备的4215-CVU(CVU),用户能够测量大范围的电容,<1pF非常低的电容值也能测到。CVU采用独特的电路设计,并由
- 关键字:
电容 测量
- 电容思维导图如下:电容有四大作用:去耦、耦合(隔直通交)、滤波、储能。今天我们主要谈论去耦作用。电容封装相信大家都用过这几种电容,板子上最多的是多层陶瓷电容。钽电容:主要用在电源电路中,博主被它炸过很多次......去耦电容这是 STM32F103 最小系统原理图,STM32F103VET6 需要五路 3.3V 供电,他的 3.3V 一般来源于 LDO(低压差线性稳压器),比如 LM1117。5V转3.3V的电路:LDO 比 DC-DC 的方式(TPS5430)更能提供稳定的电压,但对芯片来说依旧不够,我
- 关键字:
电容 选型推荐 滤波
- 输入电容纹波电流有效值计算相信很多人都知道Buck电路中输入电容纹波电流有效值,在连续工作模式下可以用以下公式来计算:然而,相信也有很多人并不一定知道上面的计算公式是如何推导出来的,下文将完成这一过程。众所周知,在BuckConverter电路中Q1的电流(IQ1)波形基本如图1所示:0~DTs期间为一半梯形,DTs~Ts期间为零。当0~DT期间Iq1 ⊿I足够小时(不考虑输出电流纹波的影响),则Iq1波形为近似为一个高为Io、宽为DTs的矩形,则有:Iin=(Vo/Vin)*Io=DIo (Iin,只要
- 关键字:
开关电源 电容
- 我们看到一个电容器由两个平行的导电板组成,该电导板由绝缘体分离,并且在一块板上具有正( + )电荷,另一个板上的负电荷( -)电荷在另一个板上。 我们还看到,当连接到DC(直流电流)电源时,一旦电容器充满电,绝缘体(称为介电)会阻止电流通过它的流动。 电容器像电阻一样反对电流流动,但与电阻器以热的形式消散其不必要的能量,当电荷充电和释放时,电容器将能量存储在其板上,或者在放电时将能量归还到连接的电路中。 电容器通过将电荷在其板上存储在电流中反向或“反应”的能力称为“电抗”,因此,由于该电抗与电容器有
- 关键字:
电容 电压 分隔器
- MLCC——多层片式陶瓷电容器,简称贴片电容,会引起噪声啸叫问题,这是为什么了?声音源于物体振动,振动频率为20Hz~20 kHz的声波能被人耳识别。MLCC发出啸叫声音,即是说,MLCC在电压作用下发生幅度较大的振动(微观的较大,小于1nm)。MLCC为什么会振动?在了解MLCC为什么要振动之前,我们要先了解一种自然现象,在外电场作用下,所有的物质都会产生伸缩形变——电致伸缩。对于某些高介电常数的铁电材料,电致伸缩效应剧烈,称为——压电效应。压电效应的定义:在没有对称中心的晶体上施加压力、张力和切向力时
- 关键字:
电容 无源器件 电路设计
- 在高速串行电路中,隔直电容放到哪里好呢?一些工程师的回答无非会是两种情况:放到驱动端或者是放到接收端。有人说放到接收端,原因是:由于信号从驱动端通过传输线到接收端,期间会造成衰减,上升时间也会延长,当信号最终到达接收端的电容时,大部分的高频分量已经没有了,反射减少了,因此能有更多的信号到达接收端。(时域)一个SI工程师可能会告诉你:对于所有的无源链路,链路中所有的元素都是互相影响的,整个拓扑也是有关联的,不管信号是向前传还是向后传都是一样的。因此,跟电容放哪没关系。(频域)为了解决这个问题,下边用简单的方
- 关键字:
电容 无源器件 电路设计
- 在电子设备的硬件设计中,多层陶瓷电容器(MLCC)是极为常见且关键的电子元件。它以其体积小、容量大、等效串联电阻低等优势,广泛应用于各类电路。然而,MLCC 在工作过程中可能会遭遇电应力击穿问题,这不仅影响设备的性能,还可能导致严重的失效。对于硬件工程师而言,深入了解 MLCC 电应力击穿机理,掌握失效分析方法和可靠性设计要点,是确保电子设备稳定运行的关键。一、陶瓷电容的基本结构片式多层陶瓷电容器的结构主要包括三大部分:陶瓷介质,金属内电极,金属外电极。在 其内部,金属电极层与陶瓷介质层交替堆叠;金属内电
- 关键字:
电容 无源器件 电路设计
- 在硬件设计这个看似平静的江湖中,实则每一个决策都暗藏汹涌。每一个元器件的选择,都可能成为项目成败的关键转折点。就像今天要讲的这个故事,一颗小小的电容,差点引发一场 “血案”。一、背景与问题暴露在神秘的以全志T527为核心芯片的“算力智能终端”的项目里,设计初期,Buck 电路的输入电容选用的是铝电解电容,直接参考全志的Demo板。这颗铝电解电容虽然具备大容量、低成本的特点,但其缺点也十分明显。它体积庞大,在电路板这个狭小的空间里,严重影响布局的合理性,如同巨人在狭窄巷道中艰难前行;等效串联电阻(ESR)过
- 关键字:
电容 无源器件
- 输入电容纹波电流有效值计算相信很多人都知道Buck电路中输入电容纹波电流有效值,在连续工作模式下可以用以下公式来计算:然而,相信也有很多人并不一定知道上面的计算公式是如何推导出来的,下文将完成这一过程。众所周知,在BuckConverter电路中Q1的电流(IQ1)波形基本如图1所示:0~DTs期间为一半梯形,DTs~Ts期间为零。当0~DT期间Iq1 ⊿I足够小时(不考虑输出电流纹波的影响),则Iq1波形为近似为一个高为Io、宽为DTs的矩形,则有:Iin=(Vo/Vin)*Io=DIo (Iin,只要
- 关键字:
电容 无源器件
- “去耦” 中的 “耦” 原指耦合,在电路里,耦合表示两个或多个电路部分之间存在相互影响、相互干扰的电气连接关系。去耦电容名字里的 “去耦”,意在减少电路不同部分之间不必要的耦合干扰,具体原理如下:切断高频干扰传导路径:在电子电路系统中,不同的电路模块、器件各自工作,由于共用电源线路,一个模块产生的高频噪声很容易顺着电源线 “串门”,干扰到其他正常工作的模块,这就是一种耦合现象。去耦电容利用自身特性,为高频信号提供一条低阻抗的旁路通道,让高频噪声优先通过电容流入地,而非沿着电源线乱窜,切断了高频干扰在电路各
- 关键字:
电路设计 去耦 电容
- 电感器失效模式:电感量和其他性能的超差、开路、短路。贴片功率电感失效原因:1.磁芯在加工过程中产生的机械应力较大,未得到释放;2.磁芯内有杂质或空洞磁芯材料本身不均匀,影响磁芯的磁场状况,使磁芯的磁导率发生了偏差;3.由于烧结后产生的烧结裂纹;4.铜线与铜带浸焊连接时,线圈部分溅到锡液,融化了漆包线的绝缘层,造成短路;5.铜线纤细,在与铜带连接时,造成假焊,开路失效。一、耐焊性低频贴片功率电感经回流焊后感量上升<20%。由于回流焊的温度超过了低频贴片电感材料的居里温度,出现退磁现象。贴片电感退磁后,
- 关键字:
电容 无源器件 失效分析
- 电容是电子电路中最常见的一种元器件,今天为大家分享2种特殊电容:X电容和Y电容。1安规电容安规电容之所以称之为安规,它是指用于这样的场合:即电容器失效后,不会导致电击,也不危及人身安全。安规电容包含X电容和Y电容两种,它普通电容不一样的是,普通电容即使在外部电源断开之后,它内部储存电荷依然会保留很长一段时间,但是安规电容不会出现这个问题。安规电容大多数为蓝色、黄色、灰色以及红色等。1、安规X电容X电容是跨接在电力线两线之间,即“L-N”之间,X电容器能够抑制差模干扰,通常采取金属化薄膜电容器,电容容量是u
- 关键字:
电容 电路设计 EMC
- 我们来聊聊电机为什么要并联电容,小到玩具车马达,大到电动机,都可见电容的存在,看完本章,保证您有收获!注:本文章不具体讨论电容特性,所以不用怕听不懂功率的组成想要解开这个未知的大门,我们首先需要了解一下功率是由啥组成的?您可能会毫不犹豫说是 电压×电流我们从宏观角度看,这确实是功率但不具体让我们看一张图片啤酒看到啤酒是多少就叫视在功率泡沫没用就叫无功功率真正喝到的啤酒就叫有功功率由此可知,视在功率等于无功功率和有功功率之和电容电容这里需要提及到电容的特性‘电流超前电压90°’详细解释:电容没通电时,两块极
- 关键字:
电机 电机控制 电容
- 为什么电容通高频阻低频?解释一:电容器有一个充放电的时间问题。当交流电的正半周,给电容器充电的瞬间,电路是有电流流过的,相当于通路,一旦电容器充电完毕,则电路就没有电流流过了,相当于断路。当交流电的负半周到来时,又将产生电流,先抵消掉原来充在电容上的那个相反的电荷,再继续充电至充满。现在假设电容器需要的充电时间t一定,则当一个频率较高的交流电正半周结束时,假设电容器容量够大,还未充满电,负半周就到来了,则电路会一直流着电流,相当于电容器对这个高频的交流电来说,是通路的。如果这个交流电的频率较低,正半周将电
- 关键字:
电容 无源器件
电子设计基础:电容介绍
您好,目前还没有人创建词条电子设计基础:电容!
欢迎您创建该词条,阐述对电子设计基础:电容的理解,并与今后在此搜索电子设计基础:电容的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司

京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473