在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也...
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MOSFET MOSFET驱动电路
首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道M...
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PMOS 开关管 MOSFET 二极管
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器。
NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包含的内部稳压器为门驱动器提供电荷，它在休眠模式下的静态电流为3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它还具有可同步开关频率特性，提供两种分别可设定为典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
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安森美半导体 MOSFET 非同步升压控制器 NCV8871
恩智浦半导体NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装占位面积仅有2 x 2 mm，高度仅为0.65 mm，专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。
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NXP MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
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Vishay MOSFET
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装占位面积仅有2 x 2 mm，高度仅为0.65 mm，专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。
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恩智浦 MOSFET PBSM5240PF
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布将于中国电子展同期举办中国西部电源研讨会(West China Power Seminars)，时间和地点分别是8月23日上午9点30分至12点10分在成都明悦大酒店，8月25日在西安曲江国际会展中心。每场研讨会将有4位专家做技术报告，探讨电容器、MOSFET、电源模块、二极管和光耦合器在新能源、军工、通信、工业电源和其他行业中的应用。研讨会面向研发工程师，用中文讲解，CEF的观众可以免费参加。
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Vishay MOSFET
硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量，从而造成电源效率...
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低损耗 大功率 MOSFET
鉴于MOSFET技术的成熟，为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情。虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的...
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MOSFET 导通阻抗 开关电源
1.开关电源应用从定义上而言，这种应用需要MOSFET定期导通和关断。同时，有数十种拓扑可用于开关电源，这...
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MOSFET 应用案例
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于：首先驱动电路比较简单。MOSF...
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MOSFET 选型 应用概览
一引言DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数，...
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热源功率 损耗 MOSFET
工艺与材料的创新随着时间的推移，功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小，功率密度越...
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功率器件 工艺材料 MOSFET
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS...
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大功率 开关电源 功率 MOSFET 驱动
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
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功率 MOSFET 变换器 栅极驱动
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