随着全球环保意识高长 , 电源对于效率的要求越来越高 , 为了提高效率的要求 , 在于输出二极体改成MOSFET的应用愈来愈多 , 就是 SR ( 同步整流 ) 在电源供应器被广泛使用 , SR的应用在电源供应器低电压大电流输出及高效率电源供应器 , 使用Mosfet 的Rds on 低阻抗特性 ( m欧姆 ) 与二极体顺向电压 ( Vf ) 比较大大的降低损失 , 因此本文以NXP SR ic TEA2095T 为题作了详细介绍 .►场景应用图►产品实体图►展示板照片►方案方块图►核心技术优势1 .极宽
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NXP TEA2095
我们对汽车及其工作原理的认知发生了巨大变化。汽车的自动化程度、电气化程度不断增加，越来越注重服务，不断为最终用户实现定制、升级。而汽车变革的根本在于，汽车将由软件定义。简言之，汽车的所有功能都将在虚拟模型上进行设计、测试、验证，并可能进行修改，虚拟模型将伴随实体汽车存在于整个生命周期。这场变革将需要对汽车架构进行深层次的改造。除了让汽车开发更快、更轻松外，它还将通过以数据为导向的服务，为OEM厂商提供富有吸引力的新商机，吸引更熟悉支持签约功能的一代用户。从本质上讲，交通出行逐渐成为服务增强用户体验，受到网
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NXP Zonal
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下世平推出基于恩智浦（NXP）LPC5528芯片的3D打印机方案。图示1-大联大世平基于NXP产品的3D打印机方案的展示板图3D打印是目前最具生命力的快速成型技术之一，凭借着无需机械加工或任何模具就能直接从计算机图形数据中生成立体模型的特点，成为了产品创新竞争中强劲有力的工具。通过快速成型工艺，3D打印技术不仅在创客市场也掀起了一番热浪，也被广泛用于工业机械、医疗健康、汽车、建筑、消费等领域的生产设计中。由大联大世平基于NXP LPC
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大联大世平 NXP 3D打印机
人们对于电源效率的要求越来越高，许多电源人为了提供1 Part的效率绞尽脑汁想方设法而不可得。很多大功率电源，如目前很火的5G基站电源，通信电源，对于效率也有很高要求。NXP针对大功率200~1000W的Switching Power ,推出了一款TEA2208方案。TEA2208T是第一款产品有源桥式整流控制器，取代传统的整流桥堆。使用TEA2208T与低阻抗高压MOSFET作为整流器方案显著提高了功率变换器的效率，减少导通损耗。与传统整流桥堆的测试比较，在电源电压90v (AC)时，效率可提高约1.4
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NXP TEA2208 Adapter
厌倦了为不同的配件使用不同的充电器?ST 意法半导体的EVLSTCH03-45WPD充电器具有USB-A端口和USB-C端口，因此您无需使用多个充电器即可同时为不同的设备充电。 EVLSTCH03-45WPD 45W USBType-C®Power Delivery 3.0充电器是USB-IF认证的解决方案。 EVLSTCH03-45WPD是带有独立USB PD控制器的隔离电源。在初级侧实现了一个基于STCH03控制器的准谐振反激式转换器，该转换器具有光耦合器反馈以进行电压调节。该控制器结合了高
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ST STUSB4761 USB type C charger
为了在类比电源供应系统上设计出更精细、更复杂多样化的电源管理算法则，源自于云端运算服务器、电信机台设备的数位电源技术，以高效能微控制器(MCU)作为监控与输出多样化类比电压的调整技术；即便其成本较高，系统业者也开始将它推广并导入，藉以开发出更多的节能控制与智慧绿能应用。友尚与明志科技大学高功率实验室合作开发350W 无桥PFC数位电源方案(如图一)，以此解决方案展示STM32F334在数位电源上的优异表现并提供给客户参考，STM32F334内建217ps的高分辨率PWM，并具备12 bits ADC 5M
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ST STM32F334 无桥
一：项目背景：家电客户使用VIPer12做的6W辅助电源在EMI的传导测试中，低频段超标需要整改。因成本和PCB空间原因不能加前端EMI滤波电感。需要采用VIPerPlus的频率抖动特性解决问题。二：频率抖动基本原理开关电源由于较高的dv/dt 和di/dt尧电路中存在的寄生电感和电容使开关电源的电磁干扰噪声较难消除。一般在EMI测试结果中可以发现，开关电源在开关时刻通常容易超过EMI 限值，而在其它频率点上却往往具有较大的裕量。因此人们又从另一角度开发新的EMC 技术院如何通过各种方式降低开关时刻的EM
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ST Low EMI jitter frequency Viper17 豆浆机
意法半导体的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供电(USB-PD)数字控制器新增一个支持双充电口的ST-ONEMP芯片。ST-ONEMP数字控制器基于市场首个ST-ONE架构，在一个封装内集成Arm® Cortex®-M0+ 微控制器、高能效非互补有源钳位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架构的初级侧和次级侧电路之间电流隔离，极大地简化了USB-PD电源适配器的设计和组装。现在，通过增加电能共享支持功能，最新的ST-ONEMP简化了在USB-PD 输出外再增加一个输出的双充电口设计
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意法半导体 ST-ONEMP 数字控制器 USB-PD适配器
发动机是为汽车提供动力的装置，是汽车的心脏，发动机能否正常工作直接影响汽车的性能。发动机在工作时，由于各部分运动零件之间摩擦和燃料的燃烧，温度极高。一般来说，燃烧室温度将超过2000度，气缸壁上部最高可达400度，为了确保发动机正常工作，需要对发动机进行散热，以提高发动机的功率，减少发动机的磨损和燃料消耗。 传统的冷却系统主要以风冷为主，利用发动机冷却风扇来进行散热，功率在600W以上，下面介绍基于FS32K142的无刷直流三相电机的发动机冷却风机控制器
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NXP FS32K142HAT0MLHT 汽车风机
意法半导体（ST）是一家拥有非常广泛产品组合的半导体公司，尤其汽车更是ST非常重视的市场之一。 意法半导体车用和离散组件产品部策略业务开发负责人Luca SARICA指出，2022年车用和离散组件产品部（ADG）占了ST总营收的30%以上。ST在2021年的营收达到43.5亿美元，而若与2022年相比，车用产品部门与功率和离散组件部门的营收增幅都相当显著，达30%以上。车用和离散组件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品，非常全面性的产品组合能够支持汽车的所有应用。 图一 : ADG营运策略ADG
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汽车 ST 碳化硅
物联网的不断扩展，推动了新一轮大规模的智慧化升级浪潮。智慧化正在从云端向具有机器学习（ML）能力的边缘设备转移，这些设备能够在本地处理传感器数据流，与基于云的AI系统相比，延迟更低，安全性更高，提供更好的用户隐私保护。为了将边缘设备从单纯的数据采集转换为具有自主操作能力的边缘智慧，开发人员需要具有多核性能并内置加速器的新型低功耗微控制器（MCU）来执行ML任务，同时最小化功耗预算以保持节能的系统设计。因应未来的边缘智慧，恩智浦MCX产品针对广泛的物联网、边缘ML和工业应用场景进行了优化。此平台结合恩智浦L
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加速器 低功耗 MCU 边缘智能 NXP
1.该方案是PFC+LLC拓扑，适合作中大功率电源，其中ST的方案L6562/L6563+L6599被业界称为最经典的PFC+LLC方案，现在还有相当多的人使用。方案主要优势为高效率，低EMI ，适合应用于高频化，高功率密度设计。DEMO板EVL150W-ADP-SR,是款 150W，宽输入电压范围，PFC+LLC解决方案，适用于大功率适配器，TV电源和LED大功率电源，在无/轻载运行时功耗低，重载满载高效率。在LLC拓扑未流行前，传统的150W方案主要有PFC+反激或者PFC+正激，其主要的缺点是效率不
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ST L6563H L6599A SRK2000A 大功率适配器
随着科技的迅速发展，电子产品日新月异与半导体制程技术进步，电子产品逐渐要求体积小且效率高。过去研究线性式电源供应器(Linear Power Supply)设计使用较大的隔离变压器，其转换效率较低且产生较多的热，故需要体积较大的散热片，因而被切换式电源供应器取代。 切换式电源供应器(Switching Power Supply)取代线性式电源供应器，电源供应器若提升切换频率，可以有效缩小变压器与电感铁芯的体积、降低输入、输出电容的容值
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ST STM32G474 全桥相移 零电压切换 直流-直流
一， HVLED001B 的介绍：HVLED001B是具有恒定电压初级感应和超低待机功耗的高功率因数反激控制器, 同时也是增强型峰值电流模式控制器，能够主要控制高功率因数（HPF）反激或降压-升压。初级侧调节和光耦合器控制可以独立地应用在芯片上，在空载情况下都可以利用精确调节和非常低的待机功耗来实现。创新的ST高压技术允许HVLED001B直接连接到输入电压，从而可以启动设备并监视输入电压，而无需外部组件。有效控制开路，输出短路，输入过压或欠压等异常情况，以及主开关的开环和过流等电路故障。内置的智能自动恢
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ST HVLED001B HVLED002 STEVAL-LLL008V1
12月8日，半导体产业分析师 Dylan Patel发布了一条推特称意法半导体未来将进军10nm工艺，不过考虑到提到的晶圆厂直到2026年才能满负荷生产18nm工艺，实现10nm工艺的具体时间可能较晚。图源：推特据Dylan Patel在推文中介绍，意法半导体将每月生产5万片晶圆18nm FD-SOI，后续将转向下一个节点，采用10nm工艺，该意法半导体晶圆厂将与GlobalFoundries合作生产。早在今年7月，意法半导体曾与格芯宣布投资57亿欧元（约418.38亿元人民币），在法国建造一座新的半导体
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ST 意法半导体 10nm
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